Publicaties

Skip Navigation Links.
Recent verschenen
Collapse per documenttypeper documenttype
Expand ECN rapportECN rapport
Expand Boek(hoofdstuk)Boek(hoofdstuk)
Expand Artikel vakbladArtikel vakblad
Expand Artikel wetenschap tijdschriftArtikel wetenschap tijdschrift
Collapse ConferentiebijdrageConferentiebijdrage
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1997
1996
1995
1993
1992
1991
1990
Expand PresentatiePresentatie
Expand OverigOverig
Expand Externe notitieExterne notitie
Expand BrochureBrochure
Expand per Unitper Unit
Expand per Clusterper Cluster

Zoeken naar publicaties:
Beperk het zoeken tot de velden:

ECN publicatie:
Titel:
LPE-deposition of crystalline silicon layers on recrystallised silicon-based ceramics
 
Auteur(s):
Tool, C.J.J.; Schiermeier, S.E.A.; Gutjahr, A.; Laas, L.J.; Moor, H.H.C. de
 
Gepubliceerd door: Publicatie datum:
ECN Zonne-energie 1-5-2000
 
ECN publicatienummer: Publicatie type:
ECN-RX--00-022 Conferentiebijdrage
 
Aantal pagina's: Volledige tekst:
3 Download PDF  (1100kB)

Gepresenteerd op: 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Glasgow, Scotland, 1-5 mei 2000.

Samenvatting:
Recrystallisation of (thick) silicon layers can be accomplished without acapping layer. However, a substantial part of the recrystallised layer is highly defected, and has to be removed before a closed layer can be deposited on it by LPE. By tuning the cooling trajectory, the in LPE well known 'grain boundary effect' can be reduced, although we did not yet succeed in completely prohibiting the groove formation. Also, the use of metallurgical grade silicon in the nucleation layer resulted in pinholes in the LPE grown active layer. 8 refs.


Terug naar overzicht.