|
Titel:
|
|
Measuring dopant concentrations in compensated p-type crystalline silicon via iron-acceptor pairing
|
|
|
|
Auteur(s):
|
Macdonald, D.; Cuevas, A.; Geerligs, L.J.
|
|
|
|
Gepubliceerd door:
|
Publicatie datum:
|
|
ECN
Zonne-energie
|
30-5-2008
|
|
|
|
ECN publicatienummer:
|
Publicatie type:
|
|
ECN-W--08-021
|
Artikel wetenschap tijdschrift
|
|
|
|
Aantal pagina's:
|
|
|
3
|
|
Gepubliceerd in: Applied Physics Letters (American Institute of Physics), , 2008, Vol.92, 202119, p.-.
Samenvatting:
Copyright (2008) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
Meer Informatie:
Terug naar overzicht.