Publicaties

Skip Navigation Links.
Recent verschenen
Collapse per documenttypeper documenttype
Expand ECN rapportECN rapport
Expand Boek(hoofdstuk)Boek(hoofdstuk)
Expand Artikel vakbladArtikel vakblad
Expand Artikel wetenschap tijdschriftArtikel wetenschap tijdschrift
Collapse ConferentiebijdrageConferentiebijdrage
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1997
1996
1995
1993
1992
1991
1990
Expand PresentatiePresentatie
Expand OverigOverig
Expand Externe notitieExterne notitie
Expand BrochureBrochure
Expand per Unitper Unit
Expand per Clusterper Cluster

Zoeken naar publicaties:
Beperk het zoeken tot de velden:

ECN publicatie:
Titel:
Internal gettering of iron and chromium to improve multicrystalline silicon wafers
 
Auteur(s):
Manshanden, P.; Coletti, G.; Geerligs, L.J.; Veltkamp, A.C.
 
Gepubliceerd door: Publicatie datum:
ECN Zonne-energie 3-6-2009
 
ECN publicatienummer: Publicatie type:
ECN-M--09-080 Conferentiebijdrage
 
Aantal pagina's: Volledige tekst:
4 Download PDF  (497kB)

Gepresenteerd op: 3rd International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells, Trondheim, Norway, 3-5 juni 2009.

Samenvatting:
Metallic impurities in interstitial form are one of the most important limiting factors for minority carrier lifetimes in p-type silicon. Interstitial impurities can be transformed into less harmful precipitates by annealing. In this way, it is shown that the minority carrier lifetime can be increased with one order of magnitude for iron and with two orders of magnitude for chromium.


Terug naar overzicht.