Publicaties

Skip Navigation Links.
Recent verschenen
Collapse per documenttypeper documenttype
Expand ECN rapportECN rapport
Expand Boek(hoofdstuk)Boek(hoofdstuk)
Expand Artikel vakbladArtikel vakblad
Expand Artikel wetenschap tijdschriftArtikel wetenschap tijdschrift
Collapse ConferentiebijdrageConferentiebijdrage
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1997
1996
1995
1993
1992
1991
1990
Expand PresentatiePresentatie
Expand OverigOverig
Expand Externe notitieExterne notitie
Expand BrochureBrochure
Expand per Unitper Unit
Expand per Clusterper Cluster

Zoeken naar publicaties:
Beperk het zoeken tot de velden:

ECN publicatie:
Titel:
Passivating mc-Si solar cells using SiNx:H: Magic or Physics
 
Auteur(s):
Romijn, I.G.; Soppe, W.J.; Rieffe, H.C.; Burgers, A.R.; Weeber, A.W.
 
Gepubliceerd door: Publicatie datum:
ECN Zonne-energie 1-6-2005
 
ECN publicatienummer: Publicatie type:
ECN-RX--05-007 Conferentiebijdrage
 
Aantal pagina's: Volledige tekst:
4 Download PDF  (319kB)

Gepresenteerd op: 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, Spain, 6-10 juni 2005.

Samenvatting:

Bulk passivation with SiNx:H has been so far a barely understood effect that can only be optimized for cell production in an empirical way. In this study we determine the structural properties of SiNx:H layers and relate these to both the deposition parameters and its passivating qualities for solar cells. These structural properties, such as Si-N and Si-H bond densities, of the SiNx:H layers deposited with either N2, NH3 or ND3 and silane are measured with FTIR. We show that Si-N bond density is an important parameter governing both the bulk and surface passivation of


Terug naar overzicht.