Publicaties

Skip Navigation Links.
Recent verschenen
Collapse per documenttypeper documenttype
Expand ECN rapportECN rapport
Expand Boek(hoofdstuk)Boek(hoofdstuk)
Expand Artikel vakbladArtikel vakblad
Expand Artikel wetenschap tijdschriftArtikel wetenschap tijdschrift
Collapse ConferentiebijdrageConferentiebijdrage
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1997
1996
1995
1993
1992
1991
1990
Expand PresentatiePresentatie
Expand OverigOverig
Expand Externe notitieExterne notitie
Expand BrochureBrochure
Expand per Unitper Unit
Expand per Clusterper Cluster

Zoeken naar publicaties:
Beperk het zoeken tot de velden:

ECN publicatie:
Titel:
Structural and passivating properties of SiNx:H deposited using different precursor gases
 
Auteur(s):
Weeber, A.W.; Rieffe, H.C.; Sinke, W.C.; Soppe, W.J.
 
Gepubliceerd door: Publicatie datum:
ECN Zonne-energie 1-6-2004
 
ECN publicatienummer: Publicatie type:
ECN-RX--04-062 Conferentiebijdrage
 
Aantal pagina's: Volledige tekst:
4 Download PDF  (560kB)

Gepresenteerd op: 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Paris, France, 7-11 juni 2004.

Samenvatting:
Structural properties of SiNx:H layers deposited with N2SiH4 or NH3SiH4 using a MicroWave PECVD system are examined in detail and related to passivating properties. It is shown that the Si‑N bond density is an important parameter for both surface and bulk passivation. The lower the Si‑N bond density the better the surface passivation. This corresponds to higher Si‑H bond densities and a higher refractive index. For maximum bulk passivation there seems to be an optimal Si‑N bond density around 1.1´1023 cm-3. The Si‑N bond density is related to the relative change in H content during anneal.


Terug naar overzicht.